太阳能多晶硅片

一、设备概况

晶体类型：多晶硅

掺杂物：为满足一定的电阻率要求，加入硼与硅材料混合后实现目标电阻率。

二、技术参数

电学特性

电阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm（平均1.5Ω.cm）

少数载流子寿命：>2 µs

导电类型：P型

化学特性

碳含量：<2×1018 cm-3

氧含量：<4×1017 cm-3

尺寸

硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm

         125 mm×125 mm±0.5 mm

硅片厚度：200 µm±30 µm

偏差：≤50 µm

弓形：≤60 µm

线痕：≤20 µm

边缘缺陷：无

其他

硅片表面：切面完整清洁。

污染物：无污垢，油污、皂液、粘合剂的残留物、指纹等